Jenoptik weiht neue Produktion in Berlin ein

Die Jenoptik-Sparte Laser & Materialbearbeitung eröffnete am 30. August in Berlin ihre Fertigung für qualitativ hochwertige Halbleiterlaser.

Diese sind die Basis für Hochleistungsdiodenlaser, die als effiziente Werkzeuge vor allem in der industriellen Materialbearbeitung und Medizintechnik weltweit eingesetzt werden. Am Standort in Berlin-Adlershof entwickelt und fertigt Jenoptik Halbleiterlaser, so genannte Laserbarren, die als Grundmaterial für Hochleistungsdiodenlaser dienen. Der Umsatz mit dem Grundmaterial für Hochleistungsdiodenlaser hat sich seit 2006 verdreifacht
In den Reinräumen  ist die komplette Prozesslinie rund um Epitaxie, Waferprozessierung und Facettenbeschichtung installiert, um Halbleiterlaser herzustellen. In einem für die Halbleiterfertigung typischen Prozess werden Wafer strukturiert und zu Laserbarren verarbeitet. Diese Laserbarren aus der Berliner Produktion werden an Kunden weltweit geliefert und bei Jenoptik in Jena zu Hochleistungsdiodenlasern weiterverarbeitet und in andere Lasersysteme integriert.


Diodenlaser sind künstliche Lichtquellen mit dem höchsten elektro-optischen Wirkungsgrad: Sie wandeln bis zu 70 Prozent der zugeführten elektrischen Energie in Licht um. Im Vergleich dazu liegt der Wirkungsgrad einer klassischen Glühlampe bei etwa fünf Prozent, der einer Energiesparlampe bei bis zu 25 Prozent. Diodenlaser sind zudem sehr kompakt und robust gebaut und können daher einfach in Lasersysteme integriert werden
In der industriellen Lasermaterialbearbeitung werden Diodenlaser als hocheffiziente Pumpquelle für Festkörper- und Faserlaser oder zunehmend als Direktanwendung  eingesetzt, unter anderem zum Löten und Härten von Metallen sowie zum Schweißen von Kunststoffen.   Auch die Bereiche Medizintechnik und Ästhetik bieten viele Anwendungsmöglichkeiten für Hochleistungsdiodenlaser und diodengepumpte Festkörperlaser. So werden die Laser beispielsweise in der Augen- und Zahnheilkunde, Chirurgie und zur Haarentfernung eingesetzt.

Erstellt am 10.10.2012

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